三星电子有限公司今天说，它已经开始大规模生产其最先进的动态随机存取存储芯片。

这种16 GB的LPDDR5 DRAM芯片是为移动设备设计的，正在该公司位于韩国平泽的工厂采用称为极端紫外线光刻的新工艺进行制造。该过程涉及使用激光和光敏化学品蚀刻硅，并克服了扩展RAM的“主要发展障碍”，为行业发展提供了更大的空间。

这家韩国科技巨头是全球DRAM市场的领导者，新芯片的问世使该公司有可能扩大领先地位。Moor Insights&Strategy总裁兼首席分析师Patrick Moorhead表示：“这是一项重大突破，因为EUV技术通过减少蚀刻晶片的工艺次数来降低硅的成本。”

这对三星来说也是一个重要的市场，因为存储芯片业务约占三星 总收入的三分之二，这使其智能手机部门和家用电器部门等其他业务相形见war。

三星表示，EUV制造工艺的芯片比上一代芯片薄30%。但是，尽管尺寸更小，但这些芯片也更快，平均每秒6400兆位的数据传输速率。这意味着它可以在短短一秒钟内发送51.2GB的数据，或相当于10张5GB的电影。

三星DRAM产品与技术执行副总裁Jung-Bae Lee说：“基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到一个新的门槛，克服了高级节点上DRAM扩展的主要发展障碍。” “随着我们引领整个内存市场的增长，我们将继续扩大我们的高级DRAM产品阵容，并超过客户的需求。”

三星表示，它将结合八种新芯片，形成一个16GB RAM封装，该芯片组计划于2021年面世，用于下一代高级智能手机。较小的芯片尺寸将意味着更薄的智能手机设计或更多的空间用于其他组件，例如作为电池和相机。此外，基于16GB LPDDR5的新智能手机将具有更大的净空，可用于同时运行应用程序和执行更苛刻的任务。

三星也将目光投向了汽车行业，新的芯片可用于为更快，更强大的信息娱乐系统供电。