电子产品的一些功能和系统运行模式越来越完善，同时也越来越复杂。很多小伙伴都很困惑。最近，关于DDR2和DDR3区别的消息引起了很多人的注意。现在大家都想知道DDR2和DDR3有什么区别，那么我们就来详细介绍一下DDR2和DDR3的区别。

DDR2和DDR3的区别

DDR2和DDR3的插槽不同。DDR3比DDR2频率更高、速度更快、容量更大、性能更高。

与DDR2内存相比，DDR3内存只是规格上的提升，并没有真正意义上的全新架构进行全面替代。DDR3和DDR2的触针数量都是240针。然而，万无一失缺口的位置是不同的。DDR3对大容量内存有很好的支持，大容量内存的分水岭是4GB，这是32位操作系统的上限(不考虑PAE等内存映射模式，这些32位扩展模式只是过渡模式，会降低效率，不会成为零售市场的主流技术)。当市场需求超过4GB时，64位CPU和操作系统是唯一的解决方案，这是DDR3内存的普及期。

一、DDR2和DDR3内存特性的区别：

1.逻辑库的数量

DDR2 SDRAM中有4个存储体和8个存储体，是为了满足未来大容量芯片的需求而设计的。DDR3很可能从2Gb容量开始，所以一开始有8个逻辑库，它也为接下来的16个逻辑库做好了准备。

2.包装

由于DDR3的新功能，引脚将会增加。8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装，DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格。而且DDR3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质。

3.突发长度(突发长度)

因为DDR3预取8个8位，所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发斩波模式，即BL=4读操作和BL=4写操作用于合成BL=8数据突发传输。

4.寻址定时

正如DDR2从DDR转型后延迟周期数会增加一样，DDR3的CL周期也会高于DDR2。一般来说，DDR2的CL范围在2到5之间，而DDR3的范围在5到11之间，并且附加延迟(al)的设计也发生了变化。在DDR2，a1的范围是0到4，而在DDR3中，a1有三个选项，即0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了新的时序参数mdash—写延迟(CWD)，这将取决于具体的工作频率。

二、与DDR2相比，DDR3(桌面无缓冲DIMM)的优势：

1.速度更快：预取缓冲器的宽度从4位增加到8位，相同频率下内核的数据传输容量将是DDR2的两倍。

2.更省电：DDR3模块的电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电。具有SRT(自刷新温度)功能，内部增加温度传感器，可根据温度动态控制更新速率(RASR，部分阵列自刷新功能)，达到省电的目的。

3.更大容量：更多Bank，按照JEDEC标准，DDR2应该可以达到每单位元4GB的容量(也就是每单模块8GB)，但按照目前很多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这种每单位元4Gb的容量，这意味着DDR2单个DRAM模块的最大容量可能只能达到4Gb。虽然DDR3模块的容量会从1GB跃升，但目前规划单个模块到16GB是没有问题的(注：这是指专门面向零售组装市场的无缓冲DIMM，FB和Registered for server除外)。