大家好,小豆来为大家解答以上的问题。igbt驱动电路原理图，igbt驱动电路这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。

2、门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。

3、门极驱动条件与器件特性的关系见表1。

4、栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。

5、在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。

6、表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。

7、为使IGBT能可靠工作。

8、IGBT对其驱动电路提出了以下要求。

9、1)向IGBT提供适当的正向栅压。

10、并且在IGBT导通后。

11、栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要有足够的幅度，使IGBT的功率输出级总处于饱和状态。

12、瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证IGBT不退出饱和区。

13、IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE越高，VDS傩就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。

14、但是， VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT损坏的可能性就越大。

15、通常，综合考虑取+15 V为宜。

16、2)能向IGBT提供足够的反向栅压。

17、在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。

18、重则将使调压电路处于短路直通状态。

19、因此，最好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5～15 V)，使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。

20、3)具有栅极电压限幅电路，保护栅极不被击穿。

21、IGBT栅极极限电压一般为+20 V，驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。

22、4)由于IGBT多用于高压场合。

23、要求有足够的输入、输出电隔离能力。

24、所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离，一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。

25、5)IGBT的栅极驱动电路应尽可能的简单、实用。

26、应具有IGBT的完整保护功能，很强的抗干扰能力，且输出阻抗应尽可能的低。

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