大家好,小夏来为大家解答以上的问题。晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法，关于晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法介绍这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、 《晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法》是常州天合光能有限公司于2013年9月25日申请的专利，该专利的申请号为2013104409075，公布号为CN103474486A，授权公布日为2013年12月25日，发明人是陈奕峰、皮埃尔·J·威灵顿、冯志强、沈辉、皮亚同·皮·阿特玛特，该发明属于太阳电池技术领域。 

2、 《晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法》公开了一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法，晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极包括与局域背表面场连接的局域电极以及在与硅片衬底的接触表面上覆盖有背面钝化膜的背面电极，在局域电极与背面电极之间设有至少一个梁桥电极，梁桥电极与硅片衬底的接触表面上也覆盖有背面钝化膜，局域电极与背面电极通过梁桥电极连接，并且在局域电极与背面电极之间除梁桥电极的连接区域外也设置有背面钝化膜。它能够抑制局域背表面场空洞的形成，增加局域背表面场的厚度，降低少数载流子穿过局域背表面场来到接触区被复合的电阻损失，提高背钝化电池的转换效率。 

3、 2017年5月17日，《晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法》获得第十届江苏省专利项目金奖。 

4、 （概述图为《晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法》摘要附图 ）

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